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中科院2nm光刻技术是真的吗?

2024-04-12 17:02:00技术研发1

是真的,中科院研发的叫做叠层垂直纳米环栅晶体管,可以用于2纳米以下工艺。不过,这只是一种晶体管结构,距离实际应用还有很长的距离。

我们知道,半导体芯片发挥作用的就是晶体管。芯片的的技术水平,一般也要看每平方毫米多少晶体管。例如,Intel的芯片,10纳米技术节点,晶体管密度达到了1亿个晶体管,基本与三星的7纳米工艺相当,比台积电的7纳米芯片还要高一点。

晶体管也是多种多样的,以适应不同的无需求。每一种结构,各有特点,对芯片性能影响很大。例如,Intel的芯片广泛使用的FinFET工艺,采用的是鳍式晶体管,这个技术已经被广泛应用,在22、16、12、7等工艺节点上应用广泛。各大厂商基本都用这个设计,我国中芯国际,在14纳米工艺上开始使用这一技术。

但是,半导体发展到5nm、3nm节点,原有的鳍式晶体管已经不能满足需求了,就需要研发新型晶体管,来代替以前的设计方案。这些设计方案中,最有希望的GAA环绕栅极晶体管。据说,三星公司就计划在3纳米技术节点使用GAA环绕栅极晶体管。而第一家使用鳍式晶体管的企业Intel在5纳米就转向GAA技术。而台积电,也要在3纳米或者2纳米节点转向GAA技术。

具体到中国,就遇到麻烦了,美国已经严令GAA环绕栅极晶体管技术不得向中国提供。那么,中国势必要研发自己的技术应对。基本来说,中国是两条腿走路,一方面,自己研发GAA 技术,我国的复旦大学就已经进行了验证,已经可以发展出自己的技术。另一方面,研发自己的新型晶体管结构,这就是中科院研发的新型垂直纳米环栅晶体管,它被视为2nm及以下工艺的主要技术候选。

技术储备有了,但是实现技术也是个难题,中国目前没有极紫外光刻机,哪怕技术有了储备,也要等制造设备到位,这是个漫长的过程。

中科院攻克2nm芯片关键技术这件事是真的。

不过不用过于高兴,因为该技术只是制造芯片众多环节中的一个关键技术,严格来说它属于芯片设计的范畴。不是说攻克了该关键技术很快就能制造出2nm芯片。相反,我国离制造出2nm芯片还很遥远,还有很多难关要攻克,比如制造2nm芯片所需的光刻机丶光刻胶丶离子注入设备等等。

中科院攻克的2nm芯片关键技术是指成功研发出了新型垂直纳米珊晶体管。这种新型晶体管被视为2nm及以下工艺的主要技术候选。该技术比之前三星宣布的3nm工艺需要采用的GAA环绕珊极晶体管性能更强,功耗更低。

该技术的诞生说明我国的芯片设计能力己处于世界前列,跟世界顶尖国家基本上属于同一个水平。

哎!看到标题很兴奋,详细了解后,难免还是有些失望!该技术就象你得到了宫庭秘传胡辣汤中那几片牛肉的做法秘诀,但是,汤中放什么料以及配比的秘方还没有,做胡辣汤的锅丶碗丶勺丶瓢丶盆也没有,只能吧哒吧哒嘴,把快流出的口水咽了。

不过,随着国家的大力支持,一个个象这样的技术被攻克,我们总是离制造出高制程的芯片更近一步。

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