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为什么高掺杂的半导体耗尽层窄请详细说明谢谢

2022-04-14 09:13:56工业知识0

为什么高掺杂的半导体耗尽层窄请详细说明谢谢

由于掺杂浓度大，耗尽层单位面积内正负离子多，所以只需要相对较窄的耗尽层就能建立起足够强的内电场来阻止多子的扩散运动。可理解为加上正向电压，正向电压会与内部接触电场相抵消，这也是正向导通的的原理，所以浓度高，建立起的耗尽层宽度也就窄了。具体说明：电场强度=掺杂浓度*宽度（e=nd*w），电势差等于...