pn结原理？ pn结漂移原理？

一、pn结原理？

PN结是半导体器件的基本结构，由p型半导体和n型半导体组成的结构。它的基本工作原理是光、电、热等能量激发下，p型和n型半导体边界处会形成一个电子井，从而形成电子-空穴对，即正负离子对，同时形成电场。以下是PN结的基本原理：在PN结中，p型半导体和n型半导体的掺杂浓度不同，两者之间形成了浓度差。当p型区域中的多数载流子（空穴）和n型区域中的多数载流子（电子）通过扩散达到界面处时，发生了电子与空穴复合的现象，从而在PN结区域内形成了一个空穴密度和电子密度都比较低的区域，也就是所谓的本征区。由于p型半导体和n型半导体的砷、硼等杂质大致相等，所以会在PN结的空间区域中形成一个薄的耗尽层。

在杂质浓度逐渐递增的区域，电子和空穴的扩散将逐渐达到平衡，形成一个电子井。当两者达到平衡状态时，空穴和电子被彼此的电场吸引，电子从n型区移动到p型区，同时空穴从p型区移动到n型区。这就产生了n型半导体向p型半导体的扩散电流，反之亦然，形成了一个电场。这个电场的方向是从p型半导体的正面向n型半导体的负面，称为内建电场。这个内建电场是PN结的本质，可以控制电子和空穴的流动方向，实现半导体器件的正常工作。

当外加电源与PN结连接时，在PN结的两端会产生外加电场，这个外加电场的方向与内建电场的方向相反，电子和空穴被挤出内建电场所形成的电阻降，继而发生电流流动。因此，当外部电源的方向与内建电场方向相同时，电流容易通过PN结，形成正向电流；当外部电源的方向与内建电场方向相反时，需要突破内建电场的作用，才能形成反向电流，即其电阻很大，称之为反向电阻。根据这个原理，可以实现各种半导体器件的制作，如二极管、场效应晶体管、MOSFET、BJT等。

二、pn结漂移原理？

PN结（又称为p-n结）是半导体器件的基础单元，广泛应用于二极管、晶体管等电子器件中。漂移原理是指在p-n结中，由于载流子的扩散与漂移现象，导致电子和空穴的浓度发生变化。以下是漂移原理的详细解释：

1. 扩散：当P型半导体（其中含有过剩的空穴）与N型半导体（其中含有过剩的电子）接触时，由于电子与空穴的浓度差，电子与空穴会从高浓度区域向低浓度区域扩散。在扩散过程中，电子会向N区扩散，空穴会向P区扩散。

2. 漂移：当扩散作用持续进行时，电子与空穴在p-n结的边界处重新结合。由于p-n结的内建电场作用，空穴会被电场排斥，无法穿越p-n结；而电子在电场的作用下，会穿越p-n结进入N型区域。这种电子穿越p-n结的过程被称为漂移。

3. 漂移电流：电子穿越p-n结进入N型区域后，形成了从N型区域向P型区域的漂移电流。漂移电流的大小取决于p-n结的内建电场强度和电子、空穴的扩散速率。

4. 漂移平衡：随着电子和空穴在p-n结中的扩散与漂移，电子与空穴的浓度逐渐趋于平衡。当达到漂移平衡时，漂移电流趋于稳定，此时的漂移电流被称为平衡漂移电流。

在实际应用中，p-n结的漂移原理在诸如二极管、晶体管等电子器件中发挥重要作用。通过控制p-n结的漂移电流，可以实现对电子器件的开关控制和工作状态调节。

三、pn制冷片原理？

制冷片工作原理—吸收式制冷机的组成

吸收式制冷机的主要设备有：发生器、冷凝器、蒸发器、吸收器、节流机构、溶液热交换器和溶液泵等。在发生器中，浓度较低的溴化锂溶液被加热，使溶液中的水蒸发出来，溶液则被浓缩。浓溶液送往吸收器，水蒸气则进入冷凝器凝结成冷剂水。冷剂水经节流机构降压后进入蒸发器蒸发吸热制取冷量，然后被吸收器中的溶液所吸收。

四、PN结扩散的原理？

PN结原理

　　PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。

在形成PN结之后，由于N型半导体区内的电子数量多于空穴数量，而P型半导体区内的空穴数量多于电子数量，所以在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程如下：

最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

五、碳基pn结原理？

碳基PN结原理是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。

在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。

在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。

由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。

它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。

开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。

在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。

另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。

从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。

最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。

PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

六、pn结隔离的原理？

PN结隔离（isolation with p-n junction）是指把需要相互绝缘的各部分，用加有反向偏压的PN结来实现隔离。当对一个PN结施加反向偏压时，它有很高的反向电阻。即一个反向偏压下工作的PN结，可以近似地看作是绝缘体。PN结隔离是一种常用的隔离方法。此法工艺简单，可以在外延过程中直接完成，导热性好。

两个晶体管分别做在两个隔离区内，它们的集电区为n型外延层，两个晶体管的集电区隔离着两个背靠背的pn结。只需p型衬底的电位比晶体管的集电区的电位低，两个晶体管就反向偏置的pn结的直流高阻隔开，进行隔离。

七、芯片是pn结原理吗？

PN结是半导体器件的基础，故芯片是pn结原理。

八、pn结开路电压测量原理？

pn的测量原理：

pn的测量原理由半导体理论可知，在正向恒流供电条件下，pn的测量的正向压降与绝对温度T有线性关系，即正向压降几乎随温度升高而线性下降，这就是PN结测温的理论依据。

pn的测量所以做温度传感器时，要注意施加正向恒流，例如10uA,这样才会比较准确，如果只加正向电压，那么准确性就下降了。

pn的测量采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。pn的测量具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

pn的测量是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。

pn的测量在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。

pn的测量在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。pn的测量由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。

pn的测量在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。pn的测量显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。

九、pn结正向特性研究原理？

PN结作为最基本的核心半导体器件,得到了广泛的应用,构成了整个半导体产业

的基础。在常见的电路中,可作为整流管、稳压管;在传感器方面,能够作为温度传

感器、光敏二极管等等。因此,研究和掌握PN结的特性具有非常重要的意义。

单向导电性是PN结最基本的特性。本实验经过测量正向电流和正向压降的关系,研究PN结的正向特性:由可调微电流源输出一个稳定的正向电流,测量不同温度下的PN结正向电压值,以此来分析PN结正向压降的温度特性。经过这个实验能够测量出波

尔兹曼常数,估算半导体材料的禁带宽度,以及估算一般难以直接测量的极微小的PN结反向饱和电流;学习到很多半导体物理的知识,掌握PN结温度传感器的原理。

十、pn结反向截止的原理？

PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成。在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。

当对pn结外加反向电压时，就相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和），pn结处于截止状态，