华为缺芯片原因？ 充电器炸芯片原因？

一、华为缺芯片原因？

华为缺芯片的原因主要有以下两点：

美国对华为的制裁 。美国对华为的制裁导致华为缺少了很多高端芯片，特别是在2021年的时候，美国还宣布在未来几年内，没有获得许可证的情况下，禁止华为使用美国的技术和芯片。

芯片制造的复杂性和困难性 。芯片制造需要大量的资金投入，而且需要很多高端的技术人才，还需要考虑专利等因素。这些因素都导致华为制造芯片的难度很大。

二、充电器炸芯片原因？

1、充电器输出规格与手机不符。山寨的小功率充电器，电流不够，会被手机拉跨，充电器反复在启动和拉跨之间跳动，其产生的冲击很容易让充电IC损坏。过高的输出电压超过手机充电IC耐压值，也会损坏）

2、输入电压极性不对或插反：标准的借口一般比较难插，反这个可能性有，但不高。

3、浪涌冲击：充电器质量不行的话，在给手机充电过程中，如同电网附近有大型设备开启或停止，导致电网冲击。从而使输出电压上叠加尖峰浪涌，与雷击相似，导致超过IC 极限而损坏。这个在充电器插到插座上时，接触点接触不良打火，一样会产生冲击。良好的习惯是先把充电器插稳定后，在把充电器的数据线连接到手机。而不是把手机和充电器连接好，然后再去反复插拔充电器到插座。

4、静电损坏：充电IC的耐压有限，一般有ESD电路做保护，如果手机设计接口暴露，且无ESD防护，则非常容易在干燥的环境和化纤衣物摩擦造成静电损坏，还有使用破损的充电线，也容易使静电通过数据线损坏到充电IC。

三、接上电池烧充电管理芯片原因？

原因可能有以下几种：

1. 电池接线错误：如果电池的正负极接反，或者接线不牢固，可能会导致电流过大，从而烧毁充电管理芯片。

2. 充电电压过高：如果充电电压超过了充电管理芯片的额定电压，可能会导致芯片烧毁。

3. 充电电流过大：如果充电电流超过了充电管理芯片的额定电流，可能会导致芯片烧毁。

4. 充电管理芯片本身故障：如果充电管理芯片本身存在缺陷或故障，也可能会导致芯片烧毁。

因此，在接线和使用充电管理芯片时，需要仔细阅读芯片的规格书，确保正确接线和使用，以避免芯片烧毁。

四、交换机全球缺芯片原因？

因为现在受疫情影响，各国都现在都限制出口和入口，就造成了缺芯片

五、芯片漏电原因？

这是因为芯片受到沾污（最主要、高发问题） LED芯片非常小，灰尘等易对它产生遮蔽作用，最重要的是灰尘、水汽、各种杂质离子会附着与芯片表面，不仅会在表面对芯片内部产生作用，还会扩散进入芯片内部产生作用。

六、芯片荒原因？

芯片荒的原因有以下几个：

首先是芯片技术要求太高，会做的单位没几个，尤其是高端芯片。

再有好多厂家看到芯片紧俏，越发囤货，造成芯片更紧张。

还有，因为疫情问题，芯片的产量有所下降。

最后就是芯片厂家使坏，故意压低产能，为涨价找到了台阶。

七、芯片紧缺原因？

芯片紧缺的原因有几点。

一发展快，需要芯片的行业发展太快了。芯片的制造设跟上。比如汽车用芯片就是如此。

二跟疫情有关，由于西方疫情很严重，对生产芯片造成影响。

三美国捣蛋，这个世界不安静，与美国到处捣蛋很有关系，卡别人的勃子，到处制采引人，影响世界的发展。

八、长安芯片短缺原因？

这种前所未有的“芯片短缺”已导致国内外许多汽车公司缩减产量。从今年一月到二月，影响将是最严重的，预计在三月以后会逐渐减轻。国内生产损失还没有得到很好的评估，预计最多将带来30万辆汽车的损失。

至于“芯片短缺”冲击波将持续出现到什么时间，业界对此有不同的判断。当前的芯片短缺是短期的市场行为，最终必须通过市场行为解决。

自2020年底以来，芯片供应短缺持续恶化，汽车芯片短缺的原因也很复杂。

近年来，随着智能水平的快速提高，许多行业对芯片的需求激增，特别是对汽车芯片的需求迅速增长，但业界对汽车智能发展速度的预测存在偏差，导致供应不足。链计划未能满足需求。车载芯片的产能必须提前12个月计划。由于去年上半年疫情的影响，许多半导体公司对汽车行业对芯片的需求做出了相对悲观的判断，因此他们的计划很保守，中国汽车市场的快速复苏超出了预期。这是当前芯片短缺的主要原因之一。此外，华为先前的芯片抢购也在一定程度上影响了市场上芯片的短缺。

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九、dcdc芯片烧坏原因？

可能原因分析

（1）排除基本的因素：PMIC的VDD是否超过了要求的最大值；

（2）过流、过压：当后级负载是感性负

载，感性回路中就可能产生反向的高电压，要负载要求是4A的电流，PMIC最大输出3.5A这两种情况下，就有可能发生过流和过压；

（3）峰值电流过大：

（4）出现反向电流：出现了高反向的偏置电压，系统中的电流以相反的方向运行；电路电压的波动有可能导致电流从IC的电源VDD脚流出，而IC内部结构有些容易反向击穿，比如MOSFET，NPN或者PNP三极管;

问题定位

（1）用万用表和示波器测量PMIC的VDD引脚，与手册中的要求的最大值比较；

（2）查看电子系统中是否有感性负载，比如线圈马达，继电器等类型的负载；

（3）峰值电流可以用示波器抓取高频波形，看纹波值是否超过要求范围；

解决方法

（1）如果是峰值电流超出了允许值，可以采用高频吸收电容(高的Q值，超低的ESR)，在电源输出引脚附近并联一个高频吸收电容到地；

（2）在输入通路中加入肖特基二极管；

（3）加入双向的MOSFET(N-MOS)；

（4）加入负载开关 TPS22963;

今天还在博客上看到一个例子，是LM2576，是设计人员在测试时不小心将输入电源和GND短路了，造成了TI 的LM2576烧坏，电路图如下。

LM2576的function Block Diagram如下图，在output引脚外部需要连接一个肖特基和电感，构成DCDC的基本回路，引脚内部是一个NPN三极管。

可以这样分析：在VIN引脚对地短路后，输入端电压瞬变为0，NPN的基极电压为0，在OUTPUT引脚的电感L1电流不能突变，产生一个反向的感应电压，倒灌到OUTPUT引脚，造成NPN的射极电压大于基极电压，把PN结击穿，电源芯片损坏

十、芯片eos失效原因？

回答如下：芯片EOS失效可能有以下原因：

1. 电压过高或过低：芯片的工作电压范围是有限的，若电压过高或过低，可能会导致芯片失效。

2. 温度过高或过低：芯片的工作温度范围也是有限的，若温度过高或过低，可能会导致芯片失效。

3. 电磁干扰：芯片在工作时可能会受到电磁干扰，导致芯片失效。

4. 人为操作失误：芯片在使用过程中如果遇到人为操作失误，比如连接错误的电源、使用错误的引脚等，也可能会导致芯片失效。

5. 设计缺陷：芯片设计中可能存在缺陷，比如电路设计错误、电路布局不合理等，也可能导致芯片失效。

6. 使用寿命达到：芯片的使用寿命也是有限的，达到使用寿命后可能会失效。