中国3nm光刻机真的假的？

一、中国3nm光刻机真的假的？

中国3nm光刻机是假消息。

目前中国光刻机量产型为上海微电子的90nmduv浸润式光刻机，该公司28nmduv浸润式光刻机已经设计定型并处于实验状态，预计年内能达到量产状态。该机型通过n+1技术使芯片制程达到10nm精度。但要知道euv才是高端光刻机，duv只是中低端机型。euv光源为13.5nm的极紫外光，duv光源为193nm的深紫外光，两者有质的区别。

二、我国生产3nm光刻机要多久？

需要多久目前未知。

首先要知道目前全球还没有3nm光刻机，所谓3nm是指芯片的制程，而光刻机目前最高就是13.5纳米极紫外光光源波长euv光刻机。国产光刻机目前只能做到28纳米的duv深紫外光光源光刻机，而想要突破到euv这个等级的光刻机要多久还未可知。

三、3nm光刻机可以做什么？

华为下一代的海思麒麟芯片9010就将采用3nm芯片工艺技术进行研发，而且上海还在城市发展规划建设中将电子芯片和芯片产业作为发展的重点，并将在3nm芯片领域进行扶持，这也就意味着接下来国产3nm芯片的发展将会迎来飞速的时代；除此以外，在高精度光刻领域我国也传来了好消息，此前国内在光刻机领域的核心零部件“双件工作台”、光学镜头等领域就已经取得了突破，而现在中科院所研发的高能辐射光源设备也已经完成测试，那么我们离国产高精度光刻机也将更进一步！

四、3nm光刻机是谁研制的？

是荷兰阿斯麦尔公司研制的。

3nm光刻机也就是euv光刻机，是荷兰阿斯麦尔研制的，由美国、德国、日本等十几个国家提供零部件，阿斯麦尔负责整合组装。但实际上并不存在3nm光刻机，euv光刻机就是13.5纳米的，只不过使用光刻机的台积电和三星通过多重曝光等技术手段，使芯片制程达到3nm，而不是单独研制了3nm光刻机。

五、3nm光刻机有几个国家有？

两个国家有。

3nm光刻机有两个国家有。其实并没有3nm光刻机，目前全球最高端光刻机只有荷兰阿斯麦尔公司的13.5nm极紫外光光源光刻机，而所谓3nm实际上是三星和台积电两家，这两家是用euv光刻机加上自己的技术，比如多次曝光，才能使13.5nm波长的极紫外光在制程上压缩到3nm。

六、荷兰光刻机为什么能用3nm？

3nm是极限，一个铜原子的直径就是2个多纳米。

首先我们要知道我们平常所说的几NM芯片是代表芯片里导线的宽度。因为导线越窄，那么在单位面积上能集成的元器件越多，所以我们用多少纳米来反应芯片的先进程度。而现在的芯片是用铜基带，也就是用铜做为芯片内导线。而一个铜原子的直径就是2个多纳米。所以光刻机只能到3纳米。如果要突破3纳米，那就只有放弃现有的基带系统，选用直径更小的元素。

七、国产3nm光刻机真的假的？

这个消息目前应该是不真实的，目前我国的光刻机只能完成28nm芯片的量产，正在攻克14nm制程，而7nm及以下目前还完全打不到，更不要说3nm了。

我国的光刻机技术根据分析，和ASML最先进制程光刻机大概有10年的差距，因此，目前没有能力生产先进制程芯片，在目前加大投入的情况，乐观估计5年后能够实现7nm制程，这个还是有可能的。

八、3纳米芯片必须使用3nm光刻机吗？

不是，使用的是13.5纳米euv光刻机。

3纳米芯片并不是使用3纳米光刻机，而且也没有3纳米光刻机这种设备。目前7纳米制程以下的芯片都是euv光刻机制造的，14-7纳米有部分是duv光刻机制造的。而制造3纳米芯片的euv光刻机实际上是13.5纳米极紫外光光源光刻机，是通过多次曝光等技术达到3纳米工艺制程的。

九、中国3nm光子芯片用途？

中国最新发布的3nm光子芯片用途十分广泛，它能够提供强大的性能和功能，能够满足不同场景的需求。3nm光子芯片主要应用于下一代数据中心、AI芯片、未来超级计算、以及新型存储芯片等领域。还可以用来支持超高速的无线传输、量子信息处理和量子加密技术等应用。

十、中微3nm蚀刻机与芯片光刻机区别？

这就是蚀刻机和光刻机之间的区别了

最简单的区别就是光刻机把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面，刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀，这就是这光刻和蚀刻的难度。

光刻的过程就是现在制作好的硅圆表面涂上一层光刻胶，接下来通过光线透过掩膜照射到硅圆表面，因为光刻胶的覆盖，照射到的部分被腐蚀掉，没有光照的部分被留下来，这部分便是需要的电路结构。

蚀刻则是电路结构了，干刻目前还没有实现商业量产，其原理是通过等离子体代替化学溶液，去除不需要的硅圆部分。